ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

1. Любутин С.К., Рукин С.Н., Тимошенков С.П. Исследование полупроводникового размыкателя тока в мощных импульсных генераторах с промежуточным индуктивным накопителем // IX Cимпозиум по сильноточной электронике. Тезисы докладов. С. 218-219. 1992. Россия.

2. Kotov Yu.A., Mesyats G.A., Rukin S.N., Filatov A.L., Lyubutin S.K. A novel nanosecond semiconductor opening switch for megavolt repetitive pulsed power technology: experiment and applications // In Proc.: IX Int. IEEE Pulsed Power Conference. Albuquerque, NM, USA, 1993. V. 1. P. 134-139.

3. Дарзнек С.А., Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. SOS-эффект: наносекундный обрыв сверхплотных токов в полупроводниках // Доклады Академии Наук. 1994. Т. 334. N 3. С. 304-306.

4. Дарзнек С.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых прерывателях сверхплотных токов // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 10. С. 64-70.

5. Любутин С.К., Месяц Г.А., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г. Субнаносекундный обрыв тока в мощных полупроводниковых SOS-диодах // Доклады Академии Наук. 1998. Т. 360. N 4. С. 477-479.

6. Дарзнек С.А., Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. SOS-диоды: наносекундные прерыватели сверхплотных токов // Электротехника. 1999. № 4. С. 20-28.

7. Рукин С.Н. Генераторы мощных наносекундных импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1999. № 4. С. 5-36.

8. Дарзнек С.А., Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Влияние профиля легирования структуры на процесс отключения тока в мощных полупроводниковых прерывателях // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 4. С. 56-62.

9. Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. Высокочастотные импульсные генераторы на основе SOS-диодов с субнаносекундным временем обрыва тока // ПТЭ. 2000. № 3. С. 52-60.

10. Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Исследование процесса субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых прерывателях // Письма в ЖТФ. 2000, том 26, вып. 18, с. 41-46.

11. А.В. Пономарев, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Исследование процесса распределения напряжения по структурам в мощном полупроводниковом прерывателе тока // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 20, с. 29-34.

12. С.К. Любутин, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, Е.А. Аличкин. Субнаносекундная коммутация гигаваттной пиковой мощности полупроводниковым диодным обострителем // Доклады Академии Наук. 2001. Том 379. № 4. С. 470-472.

13. А.И. Бушляков, А.В. Пономарев, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.П. Тимошенков. Мегавольтный наносекундный генератор с полупроводниковым прерывателем тока // ПТЭ. 2002. № 2. С. 74-81.

14. Е.А. Аличкин, С.К. Любутин, А.В. Пономарев, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский. Формирование коротких импульсов с субнаносекундным фронтом и пиковой мощностью до 1 ГВт полупроводниковым диодным обострителем // ПТЭ. 2002. № 4. С. 106-111.

15. С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Влияние объемного заряда на работу мощного полупроводникового прерывателя тока // Письма в ЖТФ, 2004, том 30, вып. 1, с. 43-50.

16. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Сверхбыстрое переключение тока на основе туннельно-ударного ионизационного фронта полупроводниковым кремниевым коммутатором // Письма в ЖТФ, 2005, том 31, вып. 5, с. 36-46.

17. A.I. Bushlyakov, S.K. Lyubutin, A.V. Ponomarev, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky, S.P. Ti-moshenkov, and S.N. Tsyranov. Solid-State SOS-Based Generator Providing a Peak Power of 4 GW // IEEE Transactions on Plasma Science. October 2006. Vol. 34. No 5. P. 1873-1878.

18. Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Численное моделирование процесса субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых диодах // Физика и техника полупроводников. 2009. Том 43. Вып. 7. С. 989-995.

19. Рукин С.Н., Цыранов С.Н. Влияние объемного заряда на процесс субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых диодах // ЖТФ. 2009. Том 79. Вып. 11. С. 30-35.

20. Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. Сверхмощная пикосекундная коммутация тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур // Физика и техника полупроводников. 2010. Том 44. Вып. 7. С. 962-969.

21. S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky, S.N. Tsyranov. High-Power Ultrafast Current Switching by a Silicon Sharpener Operating at an Electric Field Close to the Threshold of the Zener Breakdown // IEEE Transactions on Plasma Science. October 2010. Vol. 38. No 10. P. 2627-2632.

22. П.В. Васильев, С.К. Любутин, М.С. Педос, А.В. Пономарев, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.П. Тимошенков, С.О. Чолах. Наносекундный SOS-генератор с частотой следования импульсов 20 кГц // Приборы и техника эксперимента. 2010. № 6. с. 62-67.

23. П.В. Васильев, С.К. Любутин, М.С. Педос, А.В. Пономарев, С.Н. Рукин, А.К. Сабитов, Б.Г. Словиковский, С.П. Тимошенков, С.Н. Цыранов, С.О. Чолах. SOS-генератор для технологических применений // Приборы и техника эксперимента. 2011. № 1. с. 61-67.

24. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока // Физика и техника полупроводников. 2012. Том 46. Вып. 4. С. 535-543.

25. С.Н. Рукин. SOS-эффект и его применение в мощной наносекундной электронике // В кн. Электрофизика на Урале: четверть века исследований. Екатеринбург, ИЭФ УрО РАН, 2011, с. 19-64.

26. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде // Физика и техника полупроводников. 2013. Том 47. Вып. 5. С. 658-666.

27. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Пикосекундное переключение тока высокой плотности (60 кА/см²) кремниевым коммутатором на основе сверхбыстрого фронта ионизации // Физика и техника полупроводников. 2014. Том 48. Вып. 8. С. 1095-1106.

28. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Тиристорный коммутатор с субнаносекундным временем переключения // Приборы и техника эксперимента. 2015. № 3. с. 65-70.

29. A.I. Gusev, M.S. Pedos, S.N. Rukin, S.P. Timoshenkov, and S.N. Tsyranov. A 6 GW nano-second solid-state generator based on semiconductor opening switch // Review of Scientific Instruments. 2015. V. 86. Issue 11. 114706.

30. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом // Физика и техника полупроводников. 2016. Том 50. Вып. 3. С. 398-407.

31. A.I. Gusev, S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, and S.N. Tsyranov. Superfast thyristor-based switches operating in impact-ionization wave mode // IEEE Transactions on Plasma Science. October 2016. Vol. 44. No 10. P. 1888-1893.

32. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров // Физика и техника полупроводников. 2017. Том 51. Вып. 5. С. 687-695.

33. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Коммутация больших импульсных токов тиристорами при их запуске в режиме ударно-ионизационной волны // Приборы и техника эксперимента. 2017. № 4. с. 95-101.

34. A.I. Gusev, M.S. Pedos, S.N. Rukin, and S.P. Timoshenkov. Solid-state repetitive generator with a gyromagnetic nonlinear transmission line operating as a peak power amplifier // Review of Scientific Instruments. 2017. V. 88. Issue 7. 074703.

35. A.I. Gusev, M.S. Pedos, S.N. Rukin, S.P. Timoshenkov, and S.N. Tsyranov. Semiconductor sharpeners providing a subnanosecond voltage rise time of GW-range pulses // Review of Scientific Instruments. 2017. V. 88. Issue 11. 114704.

36. S.N. Rukin. Solid-state repetitive generators of short GW-range pulses: a review // Journal of Instrumentation. 2018. V. 13. P08001.

37. A.I. Gusev, M.S. Pedos, A.V. Ponomarev, S.N. Rukin, S.P. Timoshenkov, and S.N. Tsyra-nov. A 30 GW subnanosecond solid-state pulsed power system based on generator with semi-conductor opening switch and gyromagnetic nonlinear transmission lines // Review of Scien-tific Instruments. 2018. V. 89. Issue 9. 094703.

38. A.I. Gusev, S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky, S.N. Tsyranov, and O.E. Permi-nova. Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode // Semiconductor Science and Technology. 2018. V. 33. Issue 11. 115012.

39. A.I. Gusev, S.K. Lyubutin, A.V. Ponomarev, S.N. Rukin, and B.G. Slovikovsky. Semicon-ductor opening switch generator with a primary thyristor switch triggered in impact-ionization wave mode // Review of Scientific Instruments. 2018. V. 89. Issue 11. 114702.