| | | | |
| | | | |
 Институт Электрофизики / Разработки   Карта сайта     Language По-русски По-английски

Сильноточные генераторы, электронные ускорители

Применения электронных и ионных пучков

Мощная импульсная техника в технологии наноматериалов

Новые лазеры и их применение

Применения электронных и ионных пучков

Коммерческие продукты и услуги лаборатории

    Опытная партия технологических ионных источников
    Опытная партия технологических ионных источников (80 см2, 40 кВ, 50 мА)
     
  1. Источники ионов газов с холодным катодом, способные генерировать ионные пучки с большим поперечным сечением площадью в десятки - сотни кв. см. любой формы (круг, прямоугольник, лента). Энергия ионов 1-50 кэВ, плотность тока пучка 0,1-10 мА/см2. Тип ионов - любые газовые, включая ионы кислорода. Режим генерации пучка как непрерывный, так и импульсно-периодический (0,01-1 мс, 1-1000 Гц). Комплект поставки включает собственно плазменный источник и источники электрического питания.

  2.  
  3. Источники электрического питания газоразрядных и высоковольтных технологических систем на напряжения 1-100 кВ, мощностью до 10 кВт. Источники питания построены на базе мощных IGBT модулей и имеют высокую частоту преобразования и, как следствие, высокое быстродействие защиты от перегрузок и коротких замыканий в нагрузке, низкие значения запасенной энергии и пульсаций выходного напряжения. Источники некритичны к длительной работе в режиме короткого замыкания и холостого хода. Имеют высокий КПД, малые массу и габариты, оптимальные для технологических устройств статические вольтамперные характеристики. Источники импульсного напряжения (1 кВ, 50 кГц, 10 мкс, 1-15 А).

  4.  
    Источник электрического питания
    Источник электрического питания (25 кВ, 0,2 А)
     

  5. Технология нанесения защитных Mn-Co-O покрытий на металлические токопроходы высокотемпературных топливных элементов с оксидным электролитом методом реактивного магнетронного распыления с ионным сопровождением. Толщина покрытия на сталях 12×17, 15×25 и Crofer 22 APU до 10 мкм.

  6.  
  7. Технология нанесения углеводородных алмазоподобных покрытий с твердостью до 30 ГПа толщиной 1-2 мкм на изделия с размерами до 100 мм.

  8.  
  9. Технология низкотемпературного азотирования титана, титановых сплавов (600 оС) и инструментальных сталей (400 оС) в плазме низкоэнергетичного электронного пучка. Толщина азотированного слоя от нескольких единиц до нескольких десятков мкм, продолжительность обработки 1-10 ч, микротвердость поверхности увеличивается в несколько раз.

  10.  
    Источник ионного пучка
    Источник ионного пучка с поперечным сечением 600×100 мм2 (40 кВ, 0,2 А)
     

  11. Облучение образцов и изделий с размерами до 100 мм пучками ионов газов (энергия ионов 40 кэВ, флюенс – до 1019 см-2) и ионов металлов (энергия ионов 30 кэВ, флюенс – до 1017 см-2).

  12.  
Дизайн и программирование N-Studio
© 2003-2017 Институт Электрофизики
беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка православное искусство, христианские стихи, книги скачать, православные знакомства, плохие мысли, психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок